Trung tâm sản phẩm Laser Laser femto giây và laser dưới nano giây
NPFL-80IR-1.01

Laser dưới nano giây hồng ngoại

NPFL-80IR-1.01

Đặc điểm máy

1. Xung dưới nano giây; chất lượng chùm tia gần giới hạn nhiễu xạ; năng lượng đỉnh cao và công suất đỉnh cao

2. Cấu hình quang học toàn sợi độc đáo, mang lại hiệu suất gia công vượt trội so với các laser dưới nano giây khác trong ngành bán dẫn và quang điện, với độ ổn định xuất sắc.

3. Tần số lặp lại có thể điều chỉnh

4. Kết cấu nhỏ gọn, chiếm ít không gian


Lĩnh vực ứng dụng

Cắt, khoan và khía rãnh (kính, silicon, gốm);

Tạo cấu trúc màng mỏng (kim loại, màng mỏng);

Khắc laser (kính, silicon, gốm, kim loại, nhựa).


Hiệu ứng xử lý

Mẫu máy

Laser dưới nano giây hồng   ngoại NPFL-80IR-1.01

Chế độ vận hành

Xung

Công   suất trung bình (W)

80

Bước sóng trung tâm   (nm)

1064

Độ rộng vạch phổ (nm)

<30; độ rộng vạch 3   dB

Tần số lặp lại (kHz)

100-2000; Có thể điều   chỉnh

Độ rộng xung (ns)

0,1-0,2 ns; Có thể tùy   chỉnh

Năng lượng xung đơn tối   đa (mJ)

0,8

Dải điều chỉnh công suất   (%)

0-100

Thời gian đáp ứng (μs)

<100

Chất lượng chùm tia   (M²)

≤1,5

Độ ổn định công suất   (%)

≤3%; 24 h

Kích thước điểm chùm   tia (mm)

3,0±0,2; 1/e2

Độ elip của chùm tia   (%)

>90; Điển hình 92%

Độ lệch chùm tia (mm)

<1,0

Góc phân kỳ chùm tia   (mrad)

<0,5


Sản phẩm đề xuất

HPF-50-IR

Femto-10

NPFL-50G-1.0
Liên hệ
Liên hệ
Hotline
Hotline bán hàng
+86-400-666-4000
Top